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Consortium Canadien des Accélérateurs de Particules Chargées

  • Consortium Canadien des Accélérateurs de Particules Chargées
  • Accélérateur Tandetron à l'Université de Montréal
  • Ligne RBS à l'Université Western

Bienvenue sur le site de CCPAC

Le Consortium Canadien des Accélérateurs de Particules Chargées est une installation nationale qui fournit des faisceaux de particules chargées pour l'analyse et la modification de matériaux à une grande variété d'utilisateurs académiques ou autres du Canada et de l'étranger. Les services fournis par le CCPAC sont essentiels au progrès d'applications diverses telles que le développement de lubrifiants automobiles, de détecteurs pour la physique des particules et de la matière sombre, de revêtements fonctionnels, les technologies innovantes de réacteurs nucléaires, la géochimie, la science des aérosols, la science spatiale, ainsi que la physique fondamentale de la matière condensée.

Le consortium consiste en six accélérateurs de mégavolts et leurs lignes de faisceau associées situés dans quatre laboratoires distincts. Un accélérateur Tandetron de 1,7 MV avec lignes de faisceau pour la Spectrométrie de diffusion Rutherford en mode canalisation et implantation ionique à haute énergie ainsi qu'un accélérateur Tandem de 6 MV avec 7 lignes de faisceau sont logés à l'Université de Montréal. Un accélérateur Tandetron de 1,7 MV avec 4 lignes de faisceau incluant une ligne de Diffusion d'Ions d'Énergies Moyenne (MEIS) est logé à l'Université Western Ontario. L'Université Guelph possède un accélérateur Pelletron de 3 MV optimisé pour l'analyse élémentaire sensible par microfaisceaux. Un accélérateur Tandetron de 4 MV à l'Université Queens a des lignes de faisceau optimisées pour le test de matériaux de réacteurs nucléaires. Ces accélérateurs fournissent des faisceaux d'ions d'énergie allant de 25 keV à 75 MeV. Presque tous les éléments du tableau périodique peuvent être accélérés.

L'analyse par faisceau d'ions fournit la composition quantitative en profondeur de vos échantillons sans le besoin de recourir à des standards.

L'implantation ionique et l'irradiation sont utilisés pour injecter des dopants dans les semiconducteurs ou encore de terres rares dans des matériaux photoniques, pour générer des défauts dans des matériaux nucléaires ou spatiaux, pour durcir des surfaces métalliques, ou pour produire et manipuler des nanoparticules.