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Consortium Canadien des Accélérateurs de Particules Chargées

  • Consortium Canadien des Accélérateurs de Particules Chargées
  • Accélérateur Tandetron à l'Université de Montréal
  • Ligne RBS à l'Université Western

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Dernières nouvelles

Juillet 2015

U. Montréal a reçu 1.3 M$ du CFI pour installer une nouvelle ligne qui permettra l'analyse par faisceaux d'ions dans un plasma et le test de matériaux exposés aux conditions d'orbite terrestre basse.

Installations du CCPAC



Le CCPAC possède deux accélérateurs Tandetron de 1.7MV, un à l'Université de Montréal et l'autre à l'Université Western Ontario. The mode tandem signifie que les ions sont accélérés deux fois avec la même tension de terminal.

Tandetron at UdeM Les ions négatifs sont générés par la source et sont injectés dans le terminal (le réservoir beige dans la photo). Ils sont ensuite accélérés une première fois par le potentiel positif du terminal. Quand ils passent par le centre de l'accélérateur, un gaz éplucheur leur fait perdre des électrons. Ils deviennent alors des ions positifs, sont repoussés par le potentiel positif et sont accélérés aune autre fois, leur énergie pouvant atteindre plusieurs MeV. Ils sont ensuite dirigés vers la ligne de faisceau choisie.

Tandem at UdeM L'accélérateur Tandem à l'UdeM fonctionne selon le même principe que le Tandetron, mais à une tension de terminal beaucoup plus haute (6 MV), ce qui donne la possibilité de faisceaux de quelques dizaines de MeV. Les courants sont en contrepartie plus faibles (quelques µA). Cet accélérateur est en fait le premier prototype d'un accélérateur Tandem dans le monde. Il fût installé aux laboratoires de Chalk River en 1954, et transféré à l'Université de Montréal en 1966. Une nouvelle source et un nouveau système de charge ont été installés en 2002.

Techniques et installations

  • Trois accélérateurs tandem (1.7, 1.7 et 6 MV)
  • Implanteur d'ions radioactifs
  • Spectrométrie de rétrodiffusion Rutherford en mode canalisation(c-RBS)
  • Détection de reculs élastiques avec détecteur de temps-de-vol (TOF-ERD)
  • Analyse par réactions nucléaires résonnantes (RNRA)
  • Diffusion d'ions d'énergie moyenne (MEIS)

Services

  • Caractérisation et modification de matériaux
  • Implantation ionique

Disponible aussi sur le campus:

  • Salles blanches
  • Microscopie électronique en transmission (TEM)
  • Microscopie électronique en balayage (SEM)
  • Diffraction de rayons x en haute résolution (HRXRD)
  • Épitaxie par jets moléculaires (MBE)
  • Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD)
  • Dépôt plasma (plusieurs méthodes)
  • XPS, Auger, SIMS, AFM, STM, etc.